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15N10 TO251-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- TO251；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 15N10 TO251-VB
- 商品编号
- C557918
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.821克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 892pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET