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LP3475T1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 RDS(ON) ≤ 65mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) ≤ 90mΩ @ VGS = -4.5V。 产品材料符合RoHS要求且无卤
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3475T1G
- 商品编号
- C5160885
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 534pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS) = -10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 65 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 90 mΩ
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。