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10N70L-TF1-T
10A、700V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 10N70是一款高压大电流功率MOSFET，具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且具有高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N70L-TF1-T
- 商品编号
- C5160421
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
AOD444将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。这些器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60 V
- 漏极电流 = 12 A（栅源电压 = 10 V）
- 漏源导通电阻 < 60 mΩ（栅源电压 = 10 V）
- 漏源导通电阻 < 85 mΩ（栅源电压 = 4.5 V）
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