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EPC23102
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道+1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 343pF；342pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ；5.2mΩ |
商品概述
ePowerTM级IC产品系列采用EPC专有的GaN IC技术，将输入逻辑接口、高端电平转换、同步自举充电和栅极驱动器与eGaN输出FET集成到一个采用MSL1 QFN封装的单片集成电路中。由此得到的功率级IC可将逻辑电平控制信号转换为高压大电流功率级，其设计更简单、尺寸更小、制造更容易，同时运行效率更高。
商品特性
- 集成高端和低端eGaN FET，带有内部栅极驱动器和电平转换器
- 5 V外部偏置电源
- 3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
- 独立的高端和低端控制输入
- 当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令使两个FET关断
- 外部电阻可调节SW开关时间
- 适用于硬开关和软开关条件的稳健电平转换器操作
- 高端自举电源的同步充电
- 用于低静态电流模式的待机功能
- 低端和高端电源的上电复位
- 在没有VDRV/VBOOT电源的情况下，保证功率级高阻抗
- 具有外露顶部的热增强型QFN封装，可实现从结到顶部散热器的低热阻
应用领域
- 降压、升压、降压-升压转换器
- 半桥、全桥LLC转换器
- 电机驱动逆变器
- D类音频放大器