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SQD50P04-09L_GE3
汽车级P沟道，40 V（D-S），175 °C MOSFET
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50P04-09L_GE3
- 商品编号
- C5160151
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
-更严格的V_SD规格-更低的二极管反向恢复时间-更低的反向恢复存储电荷-更低的RDS(on)-更低的VDS(on)