HGV8552AIM/TR
1.8MHz零漂移CMOS轨到轨输入输出运放
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- 描述
- 放大器为单/双/四电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器,提供1.8MHz带宽、轨到轨输入和输出,单电源工作电压范围为1.8V至5.5V。采用稳定技术,可提供极低失调电压(最大小于30uV)和接近零的温度漂移。每放大器的低静态电源电流为180uA,极低输入偏置电流为20pA,是低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。具有出色的共模抑制比,驱动模数转换器(ADC)时不会降低差分线性度。有多种封装可供选择,扩展温度范围为 -40℃ 至 +85℃,在所有电源电压下提供额外的设计灵活性。
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HGV8552AIM/TR
- 商品编号
- C5160102
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 单电源电压 | 1.8V~5.5V | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | 900mV~2.75V;-2.75V~-900mV | |
| 输入失调电压(Vos) | 5uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10nV/℃ | |
| 增益带宽积(GBW) | 1.5MHz | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 压摆率(SR) | 0.84V/us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | 110dB | |
| 输入电压噪声密度(eN) | 38nV/√Hz@1kHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 静态电流(Iq) | 180uA | |
| 输出电流 | 30mA | |
| 输入失调电流(Ios) | 10uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制;内置补偿;零漂移/自动稳零 |
- HGV8552AIMM/TR
- 505448-1471
- 18650-2500mAh 3.6V/2.5Ah
- 18650-2600 3.6V/2.6Ah
- 18650-3300 3.6V/3.3Ah
- 21700-4000 3.6V/4.0Ah
- 21700-5000 3.6V/5.0Ah
- 21700-5500 3.6V/5.5Ah
- 18650-2000(8C)3.6V/2.0Ah
- 18650-2500(8C)3.6V/2.5Ah
- SEAF-40-06.5-S-10-2-A-K-TR
- 2929SQ-501JEC
- OVJTCLJANF-25.000625MHZ
- OVETDLJANF-48MHZ
- OVETDLJANF-32.768KHZ
- OVETDLJANF-24MHZ
- XVHCELNANF-24MHZ
- XVHCELNANF-27MHZ
- XVHCCLNANF-12MHZ
- XVFEELNANF-8MHZ
- XVFEELNANF-25MHZ



