MX10T03EHP
100V 3.2毫欧 DFN5x6 MOSFET
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- 描述
- 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 商品型号
- MX10T03EHP
- 商品编号
- C54623189
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.799nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.256nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 出色的品质因数(FoM)
- 100%进行ΔVDS、UIS和Rg测试
应用领域
- 电机控制
- 电信和工业领域的DC/DC应用
- 高频开关、同步整流


