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ZH639D0NUQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZH639D0NUQ

三相栅极驱动器

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描述
100V三相、半桥栅极、三相栅极驱动器、高速三相半桥栅极驱动器
品牌名称
Semiment(赛卓)
商品型号
ZH639D0NUQ
商品编号
C54583343
商品封装
QFN-24(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数3
灌电流(IOL)2.5A
拉电流(IOH)2.5A
工作电压5V~12V
上升时间(tr)100ns
属性参数值
下降时间(tf)50ns
传播延迟 tpLH100ns
传播延迟 tpHL100ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.2V
输入低电平(VIL)700mV
静态电流(Iq)50uA

商品概述

ZH639D0 是用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,其工作电压 120V。

ZH639D0 集成三路高边和低边施密特输入,三路带有内部自适应死区时间的输出通道,以避免交叉传导。输出模块集成了拉灌平衡电路,系统中与功率管栅极间无需串接电阻和二极管。高低边的输出由输入独立控制,高边设置了欠压保护功能。

24 脚封装设置了独立的功率 GND 和逻辑 GND 引脚,方便 PCB 走线,减少干扰。

商品特性

  • 驱动三相 N 沟道 MOS 或 IGBT
  • 高边悬浮自举电源设计,耐压 120V
  • 集成自举二极管
  • 集成拉灌平衡电路,与功率管栅极无需电阻、二极管
  • 输出等效电流能力 2.5A
  • 最高工作频率 500kHz
  • 逻辑输入电平兼容 3.3V / 5V
  • 高边欠压保护功能
  • 依负载自适应死区控制电路
  • 内置闭锁防止直通功能
  • 封装形式:QFN24,TSSOP20

应用领域

电机驱动

数据手册PDF