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ME5V0U1BAAE
固态硅雪崩技术、超低电容和钳位电压的脉冲功率保护器件
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- 描述
- 深回扫SCR超低残压超低电容ESD,截止电压：5.0V，峰值浪涌电流(8/20μs）：4A,浪涌钳位电压(8/20μs）：3V,寄生电容Cj：0.2pF,峰值浪涌功率(8/20us)12W
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- ME5V0U1BAAE
- 商品编号
- C54581785
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00844克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 12瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
- 固态硅雪崩技术
- 超低电容：典型值0.20皮法
- 超低钳位电压
- 低泄漏电流
- 符合以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15千伏，接触放电 ±12千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷电）4安（8/20微秒）
应用领域
- USB3.0/3.1/Type - C
- 雷电接口
- DisplayPort接口
- 手持便携式应用