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ME5V0U1BAAS
固态硅雪崩技术、低钳位电压和低漏电流的脉冲功率保护器件
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- 描述
- 深回扫SCR超低残压超低电容ESD，截止电压：5.0V，峰值浪涌电流(8/20μs）：7A,浪涌钳位电压(8/20μs）：4V,寄生电容Cj：0.35pF,峰值浪涌功率(8/20us)28W
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- ME5V0U1BAAS
- 商品编号
- C54581784
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品特性
- 28瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度tp = 8/20微秒）
- 固态硅雪崩技术
- 电容：典型值0.3皮法
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 符合以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20千伏，接触放电 ±15千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷电）7安（8/20微秒）
应用领域
- USB 3.0/3.1/Type - C
- 雷电接口
- DisplayPort接口
- 手持便携式应用