ME5V0U1BAAS
固态硅雪崩技术、低钳位电压和低漏电流的脉冲功率保护器件
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- 描述
- 深回扫SCR超低残压超低电容ESD,截止电压:5.0V,峰值浪涌电流(8/20μs):7A,浪涌钳位电压(8/20μs):4V,寄生电容Cj:0.35pF,峰值浪涌功率(8/20us)28W
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- ME5V0U1BAAS
- 商品编号
- C54581784
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 28瓦峰值脉冲功率(脉冲宽度tp = 8/20微秒)
- 固态硅雪崩技术
- 电容:典型值0.3皮法
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 符合以下标准:
- IEC 61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±20千伏,接触放电 ±15千伏
- IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40安(5/50纳秒)
- IEC 61000 - 4 - 5(雷电)7安(8/20微秒)
应用领域
- USB 3.0/3.1/Type - C
- 雷电接口
- DisplayPort接口
- 手持便携式应用
