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PCE6080K

N沟道增强型MOSFET,低栅极电荷,可降低开关损耗

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商品型号
PCE6080K
商品编号
C54561878
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.383克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 漏源电压(VDs):60V
  • 漏极电流(IDs):80A
  • 导通电阻(RDs(ON),VGs = 10时):≤5.8mΩ(典型值)
  • 低栅极电荷,可最小化开关损耗
  • 封装和引脚配置:TO - 252

应用领域

  • 适配器
  • 充电器
  • 电源管理
  • 开关电源待机电源

数据手册PDF