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PCE6080K
N沟道增强型MOSFET，低栅极电荷，可降低开关损耗
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- PCE6080K
- 商品编号
- C54561878
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压（VDs）：60V
- 漏极电流（IDs）：80A
- 导通电阻（RDs(ON)，VGs = 10时）：≤5.8mΩ（典型值）
- 低栅极电荷，可最小化开关损耗
- 封装和引脚配置：TO - 252
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源
- PMV15ENEA(TP)
- PMV15ENEAR(TP)
- PMV52ENER(TP)
- PESD15VS1UL(TP)
- PESD27VV2BTR(TP)
- PESD2CANFD27V-TR-(TP)
- PESD2IVN24-UX(TP)
- SN74AUC1G08DCKR-TP
- SN74AUC1G32DCKR-TP
- SN74AUC1G86DCKR-TP
- SN74AUP1T02DCKR-TP
- PESD2IVN27T-QR(TP)
- PMEG6010CEJ(TP)
- SMBJ3.3A
- SMDJ33CA
- SN74AHC04PWR-TP
- SN74AHC125PWR-TP
- SS510A
- TC74VHC04FT-TP
- TC74VHC11FT-TP
- TC74VHC14FT-TP