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NM8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 特性：20V, 5A。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=4.5V。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=2.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- NM8205
- 商品编号
- C5156806
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 这款功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹沟槽技术制造。
- 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- RDS(ON) = 83 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 电源管理
- 负载开关