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SI2302T
N沟道沟槽功率MOSFET，低栅极电荷，高功率和电流处理能力，无铅产品
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2302T
- 商品编号
- C54529436
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 186pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- VDSS：20V
- ID：2.3A
- RDS(ON)：45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理