SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案提供了一种低成本、少引脚的替代SPI-NOR的方案。 SPI NAND闪存是基于标准并行NAND闪存的SLC NAND闪存存储设备。串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口。命令集与SPI-NOR命令集类似，但进行了一些修改以处理NAND特定功能，并添加了新功能以扩展应用。SPI NAND闪存设备共有8个引脚，包括6条信号线以及VCC和GND。串行NAND闪存设备的每个块被细分为64个可编程页面。每个页面由数据存储区域和备用区域组成。数据存储区域用于存储用户编程的数据，备用区域通常用于内存管理和纠错功能。 1页（编程单元） = (2K + 128) 字节 1块（擦除单元） = (2K + 128) × 64页 = (128K + 8K) 字节 4G设备 = (128K + 8K) × 4096块 = (512MB + 32MB) SPI NAND支持两种SPI模式：CPOL = 0，CPHA = 0（模式0）；CPOL = 1，CPHA = 1（模式3）。对于模式0和模式3，输入数据在SCLK的上升沿锁存，输出数据在SCLK的下降沿可用。本数据手册中的时序图为模式0。标准SPI：在四条信号总线上的标准串行外设接口，包括系统时钟（SCLK）、片选（CS#）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。双SPI：采用x2和双IO命令的双SPI操作。这些命令允许以标准SPI操作速率的两倍将数据传输到Apollo或从Apollo传输数据。SI和SO变为双向I/O引脚：SIO0和SIO1。四SPI：采用x4和四命令操作。这些命令允许以标准SPI操作速率的四倍将数据传输到Apollo或从Apollo传输数据。SI和SO变为双向I/O引脚：SIO0和SIO1，WP#和HOLD#引脚变为SIO2和SIO3。保持模式：HOLD#信号置低以停止与设备的任何串行通信，但不会停止正在进行的写状态寄存器、编程或擦除操作。写保护模式：写保护（WP#）提供硬件保护模式。WP#防止块锁定位（BP0、BP1和BP2）被覆盖。如果BRWD位设置为1且WP#为低电平，则块保护位不能被更改。写使能操作：写使能（WREN，06H）命令用于设置写使能锁存（WEL）位。写禁止（WRDI，04H）命令用于清除WEL位。与任何更改内存内容的命令一样，必须首先执行写使能命令以将WEL位设置为1。参考页面读取操作序列、页面编程操作序列、内部数据移动操作序列、块擦除操作序列和OTP操作序列。

标准双SPI和四SPI
标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
双SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#
四SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
软件/硬件写保护
用软件对全部/部分块进行写保护
用WP#/SIO2引脚启用/禁用保护
SLC NAND闪存的高级特性
支持14位/512B的ECC
读写访问频率可选
带ECC的内部数据页移动
无需坏块映射管理
2K + 128字节用于缓存读取和编程
闪存特性
块大小：（页面大小）×（64页/块）
页面大小：2048 + 128字节
SPI容量：4Gb（4096块）
低功耗
功耗30 mA
SPI最大时钟频率
3.3V时为80MHz
SPI电源电压
3.3V的全电压范围：2.7~3.6V
安全特性
8K字节OTP区域
P/E循环100,000次（至少采用4位/512字节ECC）
数据保留10年

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	80MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	600us
	块擦除时间(tBE)	2.5ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	10万次

HYF4GQ4UAACAE

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