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ESD0501PB
双向瞬态电压抑制二极管阵列，采用固态硅雪崩技术，低钳位电压和低漏电流
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- 描述
- 单向TVS,截止电压：30V，峰值浪涌电流(10/1000μs）：8.3A,峰值浪涌功率(10/1000μs）：400W
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- ESD0501PB
- 商品编号
- C54525250
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 11V | |
| 击穿电压(VBR) | 8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 200nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品特性
- 90瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度tp = 8/20微秒）
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 电容：典型值15皮法
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 符合以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30千伏，接触放电 ±30千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 4（雷击）8安（8/20微秒）
应用领域
- 手机及配件
- 个人数字助理
- 笔记本电脑和手持设备
- 便携式仪器
- 数码相机
- 外设