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PD4N90
900V N沟道MOSFET，采用无铅封装，具备低栅极电荷和快速恢复体二极管
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- 品牌名称
- PDW(芯格诺科技)
- 商品型号
- PD4N90
- 商品编号
- C54524738
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 专有新型平面技术
- RDS(ON)，典型值 = 3.6 Ω@VGS = 10V
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- CRT、电视/显示器
- 其他应用