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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4406A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- 30V/15A，RDS(ON) = 8.5mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- 30V/11A，RDS(ON) = 14mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V
- 极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 高频负载点同步
- 网络DC - DC电源系统
- 负载开关
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