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SIF10N65FA
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.073Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 1.5 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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