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TK12A50D(STA4,X,M)
1个N沟道 耐压:500V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A50D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C5154560
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具备出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值5.9 mΩ）
- 栅极电荷低（典型值137 nC）
- 改善了dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 同步整流
- 锂电池保护板
- 逆变器
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