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HXFD6288QFN24
高压高速双通道功率MOSFET栅极驱动芯片，高低压兼容，集成高侧与低侧驱动，具备防直通保护和可编程死区时间逻辑
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- 描述
- HXFD6288QFN24 是一款高压高速双通道 MOSFET 栅极驱动芯片，集成高低侧驱动，兼容 3.3V 逻辑，输出电流 1.6A/2.4A。内置防直通保护及可编程死区，高侧浮地耐压 250V，采用 QFN-24 封装，工作结温 -40~125°C，适用于工业及汽车电子
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- HXFD6288QFN24
- 商品编号
- C54423134
- 商品封装
- QFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134597克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 2.4A | |
| 拉电流(IOH) | 1.6A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 320ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
HXFD6288QFN24是一款高压、高速双通道功率MOSFET栅极驱动芯片，采用高低压兼容工艺，支持高侧与低侧驱动电路在单颗芯片内高度集成。该芯片提供相互独立的高侧与低侧参考输出通道，确保驱动信号隔离可靠、时序精准。其逻辑输入端兼容3.3V及以上的CMOS和LSTTL电平，具备强电流脉冲输出能力，并内置防直通保护功能，集成可编程死区时间逻辑，有效提升系统安全性与可靠性。高侧浮动通道专为驱动高压侧N沟道功率MOSFET设计，浮地端（VS引脚）最高耐压达250V，满足严苛的高压应用需求。该芯片采用QFN - 24封装，工作结温范围为–40℃ ~ +125℃，适用于工业级及汽车电子等宽温域、高可靠性应用场景。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3 / 5V输入逻辑
- dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达 - 9V
- 栅极驱动电压范围5V ~ 20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值4.5V
- 高侧欠压锁定负向阈值4.3V
- 低侧欠压锁定正向阈值3.9V
- 低侧欠压锁定负向阈值3.7V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 320ns / 120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围 - 40 ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力1.6A / 2.4A
- 符合RoSH标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动