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MKPV1G08IT-BFX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MKPV1G08IT-BFX

1Gb NAND 工业宽温级 ECC 纠错

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描述
1Gbit nand,Flash类型:SLC,并行接口, -40°C to +85°C,TSOP-48,内置ECC纠错功能,适用于较高数据可靠性的嵌入式系统、工业控制、数据存储等领域。可以减少外部主控的纠错负担,或作为额外的可靠性保障。
品牌名称
MK(米客方德)
商品型号
MKPV1G08IT-BFX
商品编号
C54406636
商品封装
TSOP-48​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)40MHz
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
ECC

商品概述

MKPV1G08IT - BFX 是一款单 3.3V、1Gbit(1,107,296,256 位)的 NAND 电可擦除可编程只读存储器(NAND E2PROM),其组织形式为 (2048 + 64) 字节 × 64 页 × 1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器,允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行(128 K 字节 + 4 K 字节:2112 字节 × 64 页)。

MKPV1G08IT - BFX 是一款串行型存储器件,它利用 I/O 引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,使该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储数据的系统等应用。

MKPV1G08IT - BFX 在芯片上具有 ECC 逻辑,每 528 字节的 8 位读取错误可在内部纠正。

商品特性

  • 组织形式:x8
  • 存储单元阵列:2112 × 64K × 8
  • 寄存器:2112 × 8
  • 页面大小:2112 字节
  • 块大小:(128K + 4K) 字节
  • 模式:读取、复位、自动页面编程、自动块擦除、状态读取、页面复制、ECC 状态读取
  • 模式控制:串行输入/输出、命令控制
  • 有效块数量:最小 1004 块,最大 1024 块
  • 电源:VCC = 2.7V ~ 3.6V
  • 访问时间:单元阵列到寄存器典型值 40 μs;读取周期时间最小 25 ns(CL = 50pF)
  • 编程/擦除时间:自动页面编程典型值 330 μs/页;自动块擦除典型值 2.5 ms/块
  • 工作电流:读取(25 ns 周期)最大 30 mA;编程(平均)最大 30 mA;擦除(平均)最大 30 mA;最大 50 μA
  • 封装:TSOP I 48 - P - 1220 - 0.50(重量:典型值 0.53 g)
  • 芯片上实现了每 528 字节 8 位 ECC。

数据手册PDF