BQ2002ESNTR
NICD/NIMH 快速充电管理 ICs
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- 描述
- BQ2002E 具有负 dV、PVT 和 tMTO 设置 1 的镍镉电池/镍氢电池充电控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BQ2002ESNTR
- 商品编号
- C5148314
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | 充电芯片 | |
| 工作电压 | 4V~6V | |
| 充电饱和电压 | 2V | |
| 电池类型 | 镍镉电池;镍氢电池 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 电池温度检测 | 支持 | |
| 0V电池充电 | 不支持 | |
| 静态电流(Iq) | 1uA |
商品概述
bq2002E和bq2002G快速充电IC是低成本的CMOS电池充电控制器,可为镍镉(NiCd)和镍氢(NiMH)电池应用提供可靠的充电终止功能。通过控制限流或恒流电源,bq2002E/G可作为经济高效的独立充电器或系统集成充电器的基础。bq2002E/G在单个IC中集成了快速充电、可选的补充充电和脉冲涓流控制功能,可对一个或多个镍镉或镍氢电池进行充电。
商品特性
- 对镍镉或镍氢电池进行快速充电
- 直接通过LED输出显示充电状态
- 通过负电压增量(-∆V)、最高电压、最高温度和最长时间终止快速充电
- 内置带隙电压基准
- 可选的补充充电功能
- 可选择脉冲涓流充电速率
- 低功耗模式
- 8引脚300密耳DIP或150密耳SOIC封装
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