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DO2003B
N+P通道MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N+P管/20V/4A/26MΩ/(典型21MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2003B
- 商品编号
- C54349773
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻，且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 20V，ID = 4A，RDS(ON) < 26mΩ，VGS = 4.5V（典型值：21mΩ）
- P沟道：VDS = -20V，ID = -3.2A，RDS(ON) < 35mΩ，VGS = -4.5V（典型值：27mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3