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DO2310AA
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- N管/60V/4A/80MΩ/(典型60MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2310AA
- 商品编号
- C54349772
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（Vds） = 60V，漏极电流（Id） = 4A，当栅源电压（Vgs） = 10V时，导通电阻（Rds(on)） < 80mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(on)）
- 出色的封装，散热性能良好