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DO2019AA
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性能好
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- 描述
- P管/20V/7A/20MΩ/(典型15MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2019AA
- 商品编号
- C54349765
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为 -20V，漏极电流（ID）为 -7A，在栅源电压（VGS）为 -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）小于 20mΩ（典型值为 15mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为 3 级（MSL3）