温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO2305A
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和良好散热性能
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/20V/4.8A/28MΩ/(典型22MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2305A
- 商品编号
- C54349764
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
-
- VDS = -20V，ID = -4.8A，当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 28mΩ（典型值：22mΩ）
-
- 低栅极电荷
-
- 提供环保器件
-
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
-
- 出色的封装，散热性能良好
-
- MSL3