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DO2305A

P沟道MOSFET采用先进沟槽技术,具备低栅极电荷和良好散热性能

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描述
P管/20V/4.8A/28MΩ/(典型22MΩ)
商品型号
DO2305A
商品编号
C54349764
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0344克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.8A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))600mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)900pF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)290pF

数据手册PDF

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