温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOX3401B
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，导通电阻低，散热好，适用于多种应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/30V/2.7A/69MΩ/(典型57MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOX3401B
- 商品编号
- C54349761
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0329克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34.6pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于各种应用中。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为 -30V，漏极电流（ID）为 -2.7A，当栅源电压（VGS）为 -10V时，导通电阻（RDS(ON)）小于69mΩ（典型值：53mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热良好
- 湿度敏感度等级为3级