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DOX3139A
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热好，有ESD保护
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- 描述
- P管/20V/0.6A/420mΩ/(典型320mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOX3139A
- 商品编号
- C54349760
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 65.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
商品特性
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- VDS = -20V，ID = -0.6A，RDS(ON) < 420mΩ，VGS = -4.5V（典型值：320mΩ）
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- 低栅极电荷
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- 提供环保器件
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- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
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- 出色的封装，散热良好
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- ESD保护
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- MSL3