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DOX2N7002B
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术和设计，具有低栅极电荷、低导通电阻、良好散热和ESD保护等特性
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- 描述
- N管/60V/0.2A/2100MΩ/(典型1700MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOX2N7002B
- 商品编号
- C54349759
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.325333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.2A，RDS(ON) < 2100mΩ（@VGS = -10V，典型值：1700mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- ESD保护
- MSL3