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DODX138A
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，具备ESD保护和良好散热性能
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- 描述
- N+N管/50V/0.4A/1200MΩ/(典型900MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DODX138A
- 商品编号
- C54349758
- 商品封装
- SOT-363D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.3pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 50V，ID = 0.4A，RDS(ON) < 1200mΩ @ VGS = 10V（典型值：900mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- ESD保护
- MSL3