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SM2610ET9RL
1个N沟道 耐压:64V 电流:65A
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- 描述
- 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。SM2610E 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM2610ET9RL
- 商品编号
- C5143537
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 64V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.873nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SM2610E是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 SM2610E符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试保证,具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术