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SM2610ET9RL
1个N沟道 耐压:64V 电流:65A
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- 描述
- 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。SM2610E 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM2610ET9RL
- 商品编号
- C5143537
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 64V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.873nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤