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TK15A50D(STA4,X,S)
N沟道 耐压:500V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.24Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK15A50D(STA4,X,S)
- 商品编号
- C5143007
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
HXY302DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.24 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 500V)
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0V(VDS = 10V,ID = 1mA)
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充