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SIR698DP-T1-GE3
耐压:100V 电流:7.5A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 低Qg，实现高效率。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：LED显示器。 升压和调光
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR698DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5142274
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 低 Qg,效率高
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- LED 显示器
- 升压与调光
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