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QNA3012AJ
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低且栅极电荷低，无铅
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=12A；RDS(ON)=13.8mΩ@4.5V;9.1mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.2V；Ciss=813pF，Coss=102pF，Crss=88pF；Pd=2.6W，Qg=17nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNA3012AJ
- 商品编号
- C54300923
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V、12A
- RDS(ON)典型值 = 9.1mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 13.8mΩ，VGS = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理