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ATM2604KNSG
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- ATM2604KNSG采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2604KNSG
- 商品编号
- C5141742
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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