WCR380N65TG-3/TR
N沟道 650V MOSFET
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR380N65TG-3/TR
- 商品编号
- C5140552
- 商品封装
- TO-252E-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 813pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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