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VBC9P3033
P+P沟道；电压：-30V；电流：-5.2A；导通电阻：36(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TSSOP8；P+P—Channel沟道；-30V；-5.2A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC9P3033
- 商品编号
- C54279266
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电池开关