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SE100300
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。小封装外形。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE100300
- 商品编号
- C5138327
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.09nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
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