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SI3437DV-T1-E3
1个P沟道 耐压:150V 电流:1.4A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：DC/DC 电源中的有源钳位电路
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3437DV-T1-E3
- 商品编号
- C5137029
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AUIRFR540Z采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 电源中的有源钳位电路