温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN6R7-40MLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用先进TrenchMOS超结技术、175℃ LFPAK33封装的50 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。本产品专为高频开关操作的高效应用而设计并通过认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R7-40MLDX
- 商品编号
- C553326
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.77V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进沟槽式超结（TrenchMOS Superjunction）技术的50 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET，采用175°C LFPAK33封装。该产品专为在高开关频率下运行的高效应用而设计和认证。
商品特性
- 雪崩额定值,100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低QRR、QG和QGD,实现高效率,尤其在较高开关频率下
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 高可靠性夹片键合和焊片连接的Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可耐受175°C
- 外露引脚可进行波峰焊;可目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
- 次级侧同步整流
- DC-DC转换器
- 无刷直流电机驱动
- LED照明
相似推荐
其他推荐
- PSMN6R7-40MSDX
- PSMN7R0-100BS,118
- PSMN7R0-30YL,115
- PSMN7R0-30YLC,115
- PSMN7R6-60BS,118
- PSMN7R8-100PSEQ
- PSMN7R8-120ESQ
- PSMN8R0-40BS,118
- PSMN8R0-80YLX
- PSMN8R5-100ESQ
- PSMN8R5-100PSFQ
- PSMN8R5-40MLDX
- PSMN8R5-40MSDX
- PSMN8R7-100YSFX
- PSMN8R7-80BS,118
- PSMN9R0-25MLC,115
- PSMN9R1-30YL,115
- PSMN9R5-100BS,118
- PSMN9R5-30YLC,115
- PSMNR58-30YLHX
- PSMNR60-25YLHX