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PSMN6R3-120ESQ实物图
  • PSMN6R3-120ESQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN6R3-120ESQ
商品编号
C553320
商品封装
SOT-226-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)405W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)207.1nC@10V
输入电容(Ciss)11.384nF
反向传输电容(Crss)358pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用I2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。本产品经设计和认证,适用于各种工业、通信和家用电源设备。

商品特性

  • 低开关和传导损耗,效率高
  • 动态雪崩性能提升
  • 适用于标准电平栅极驱动
  • I2PAK封装,适用于超薄型适配器和高度受限的应用

应用领域

  • 交流转直流电源
  • 同步整流
  • 电机控制
  • 超薄型适配器和充电器

数据手册PDF