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PSMN6R1-30YLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:66A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动N沟道增强模式MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3系列采用独特的“肖特基增强”技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但没有高泄漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R1-30YLDX
- 商品编号
- C553319
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 817pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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