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PSMN6R1-25MLDX

1个N沟道耐压:25V 电流:60A

品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN6R1-25MLDX
商品编号: C553318
商品封装: SOT-1210
包装方式: 编带
商品毛重: 0.151912克(g)

商品参数

商品概述

逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK33 封装。NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术，实现了通常与内置肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能，但没有高漏电流的问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率下的高效率应用。

商品特性

极低的 QG、QGD 和 QOSS 值，实现高系统效率，尤其适用于较高开关频率
超快开关速度，软恢复；s 因子大于 1
低尖峰和振铃，适用于低电磁干扰设计
独特的“肖特基增强型”技术；肖特基级性能，25°C 时漏电流小于 1 微安
优化 4.5 伏栅极驱动
低寄生电感和电阻
高可靠性夹带键合和焊料芯片贴装 Mini Power SOP-8 封装；无胶水，无引线键合，符合 175°C 要求
外露引脚，便于最佳的目视焊点检查

应用领域

服务器和电信设备的车载 DC:DC 解决方案
电信应用中的次级同步整流
电压调节模块（VRM）
点负载（POL）模块
V 核心、ASIC、DDR、GPU、VGA 和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	7.24mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	42W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	10.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	702pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+175℃