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WTM40N65AMP
1个N沟道 耐压:650V 电流:25A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。此先进技术特别设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM40N65AMP
- 商品编号
- C5136782
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,15.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.596nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。 这项先进技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 40A、650V，RDS(on)典型值 = 89mΩ（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值Qg = 57.7nC）
- 高耐用性
- 超快开关速度
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力