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IRFIB7N50APBF-VB实物图
  • IRFIB7N50APBF-VB商品缩略图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFIB7N50APBF-VB

N沟道；电压：650V；电流：10A；导通电阻：830(mΩ)

描述
台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；10A；RDS(ON)=830(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFIB7N50APBF-VB
商品编号
C54177197
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 低品质因数（FOM），即导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
  • 低输入电容（Ciss）
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷（Qg）
  • 雪崩能量额定（UIS）

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源（SMPS）
  • 功率因数校正电源（PFC）
  • 照明
    • 高强度气体放电灯（HID）
    • 荧光镇流器照明
  • 工业应用

数据手册PDF

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