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IPW60R099CPAFKSA1-VB
N沟道；电压：600V；电流：32A；导通电阻：85(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；32A；RDS(ON)=85(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPW60R099CPAFKSA1-VB
- 商品编号
- C54177145
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 510W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) R(on)×Q(g)
- 低输入电容 (C(iss))
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Q(g))
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度放电 (HID)
- 荧光镇流器照明
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