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PMXB56ENZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- N-通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于无引脚超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMXB56ENZ
- 商品编号
- C547274
- 商品封装
- DFN1010D-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 209pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |