Micron(镁光)4GB 1RX16 PC4.3200AA 内存条 MTA4ATF51264HZ-3G2R1
- 工业品
价格：￥375.41价格含税（税率13%）
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MTA4ATF51264HZ-3G2R1
- 商品编号
- C5128478
- 商品毛重
8克(g)
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产品特点 FEATURES
该产品为Micron（镁光）品牌的MTA4ATF51264HZ-3G2R1型号DDR4 SDRAM SODIMM内存条，具备以下核心特性：
1
4GB容量，采用512 Meg x 64位架构，适用于笔记本电脑、小型台式机及工业嵌入式系统。
2
支持高速数据传输，最高可达PC4-3200（3200 MT/s），对应CL=22时序，提供高达25.6 GB/s的带宽。
3
260针脚SODIMM封装，符合JEDEC标准，兼容主流DDR4平台。
4
工作电压为1.2V（VDD），VPP为2.5V，支持低功耗运行，适合对能效敏感的应用场景。
5
配备On-Die Termination（ODT）功能，可实现数据、时钟和控制信号的动态阻抗匹配，提升信号完整性。
6
支持Low-Power Auto Self Refresh（LPASR）模式，在待机或低负载时自动进入低功耗刷新状态，有效降低能耗。
7
具备Data Bus Inversion（DBI）技术，通过在数据总线上进行数据反转，减少电磁干扰并优化信号质量。
8
内置On-Die VREFDQ生成与校准电路，确保参考电压稳定，提升系统稳定性。
9
单秩设计（Single-Rank），简化系统布线，提高兼容性。
10
模块集成I²C串行存在检测（SPD）EEPROM，存储模块配置参数，便于系统自动识别和初始化。
11
采用Fly-by拓扑结构，优化时钟和地址信号路径，降低信号延迟和反射，提升高频率下的信号质量。
12
所有边缘接触点均镀金处理，增强抗氧化性和电气连接可靠性。
13
无卤素环保材料制造，符合RoHS标准，适用于绿色电子设备。
14
支持多种操作温度范围，商业级工作温度为0°C至95°C，满足多数工业环境需求。
15
可选BC4或BL8突发长度模式，支持飞速切换，适应不同应用需求。
16
基于MT40A512M16 8Gb DDR4 SDRAM芯片，性能稳定可靠。
使用场景 APPLICATIONS
该内存条适用于以下典型应用场景：
1
笔记本电脑升级：作为高性能DDR4 SODIMM内存，广泛用于商务本、轻薄本和游戏本的内存扩展或替换，提升系统响应速度和多任务处理能力。
2
工业计算机与嵌入式系统：适用于工业控制、自动化设备、医疗仪器等对稳定性和环境适应性要求较高的领域，其宽温工作范围（0°C~95°C）和高可靠性使其成为理想选择。
3
小型服务器与迷你PC：在空间受限但需要高性能计算能力的环境中，如微型数据中心、边缘计算节点、数字标牌等，该内存条可提供高效的数据吞吐率。
4
科研与测试设备：在实验室或测试平台上，可用于高速数据采集、仿真运算等任务，其稳定的电气特性和低功耗特性有助于延长设备运行时间。
5
云计算终端与瘦客户端：在远程桌面或虚拟化环境中，该内存条能够保障流畅的用户体验，尤其适合部署在大量终端设备中的集中管理场景。
6
教育与科研机构：用于高性能计算教学实验、AI模型训练辅助等，支持复杂算法运行。
特别提示：此产品非汽车级或关键安全应用设计，不建议用于自动驾驶、医疗生命支持系统或其他可能造成人身伤害或重大财产损失的高风险场景。
注意事项 PRECAUTIONS
在使用该内存条时，请注意以下事项以确保理想性能与安全性：
1
安装前请确认主板支持DDR4 SODIMM规格，并且最大支持容量不低于4GB。建议查阅主板手册确认具体兼容性。
2
插槽安装时务必对准缺口位置，避免强行插入导致针脚弯曲或损坏。安装后应轻轻按压直至卡扣锁定。
3
由于该内存条支持多种频率等级（如3200 MT/s、2666 MT/s、2400 MT/s），若系统无法识别最高频率，请检查BIOS设置是否启用XMP/EXPO超频功能。
4
在高温环境下运行（>85°C）时，需启用外部双倍刷新速率（2X refresh rate），即每3.9μs刷新一次，否则可能导致数据丢失。
5
不要将此产品用于汽车电子系统，除非明确标注为汽车级产品；否则违反Micron声明将承担全部法律责任。
6
避免在极端湿度（>95% RH）或腐蚀性气体环境中长期存放或使用，以免影响寿命。
7
存储温度应在-55°C至100°C之间，且温升速率不超过20°C/小时，防止热应力损伤。
8
若需进行系统级信号完整性分析，建议使用专业仿真工具验证内存总线布局，特别是Fly-by拓扑下的时序匹配。
9
SPD EEPROM中前384字节由Micron预编程，不可修改；后128字节可供用户自定义，但需注意写保护机制。
10
严禁超过绝对最大额定值操作，例如VDD不得超过1.5V，VPP不得超过3.0V，否则可能导致永久性损坏。
11
推荐使用原厂配套电源方案，确保VDD、VPP、VTT等电压稳定供给，避免因电压波动引发异常。
12
在拆卸或更换内存条时，请断电并佩戴防静电手环，防止静电击穿敏感元件。
13
如发现ALERT_n信号持续拉低，表示可能存在CRC错误或命令地址奇偶校验失败，应及时排查硬件或固件问题。
14
本产品不适用于任何可能导致死亡、严重人身伤害或重大财产损失的关键应用，使用者须自行承担相关责任。
Micron(镁光)4GB 1RX16 PC4.3200AA 内存条 MTA4ATF51264HZ-3G2R1
价格：￥375.41
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