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ZDV5256M16A-11DGN
4Gb双数据速率3（DDR3(L)）高速CMOS SDRAM
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- 描述
- 是DDR3,不支持DDR3L，封装：FBGA-96(8x14mm)。引脚是兼容的。时钟频率是11-11-11 ，商业的，0°C ≤ TC ≤ 95°C
- 品牌名称
- Zetta(澜智)
- 商品型号
- ZDV5256M16A-11DGN
- 商品编号
- C54102104
- 商品封装
- FBGA-96(8x14)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 存储容量 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.425V~1.575V | |
| 工作电流 | 120mA | |
| 刷新电流 | 25mA | |
| 工作温度 | - |
商品概述
4Gb双数据速率3（DDR3(L)）动态随机存取存储器（DRAM）是一种高速CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）。它内部配置为八存储体DRAM。 4Gb芯片组织为32Mbit x16 I/O x 8存储体。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输。 该芯片设计符合所有关键DDR3(L) DRAM的特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。 这些器件使用单一的1.5V ± 0.075V或1.35V -0.067V/+0.1V电源供电，并采用球栅阵列（BGA）封装。
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.5V（1.425V~1.575V）
- VDD = VDDQ = 1.35V（1.28V~1.45V），向后兼容1.5V应用
- 8个存储体
- 8n位预取架构
- 全差分时钟输入（CK、CK）操作
- 双向差分数据选通（DQS、DQS（上划线））
- 片上延迟锁定环（DLL）使DQ、DQS和DQS（上划线）的转换与CK转换对齐
- DM在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
- 除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入在时钟的上升沿锁存
- 支持可编程列地址选通（CAS）延迟5、6、7、8、9、10、11、12、13、14
- 支持可编程附加延迟0、CL - 1和CL - 2
- 可编程CAS写入延迟（CWL） = 5、6、7、8、9、10
- 可编程突发长度4/8，支持半字节顺序和交错模式
- 突发长度动态切换
- 驱动强度由模式寄存器设置（MRS）选择
- 动态片上终端（ODT）
- 异步复位引脚
- 内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆 ± 1%）
- 支持终止数据选通（TDQS）（仅x8）
- 写入电平调整
- 自刷新温度（SRT）
- 自动自刷新（ASR）
- JEDEC标准p - 96球细间距球栅阵列（FBGA）（x16）
- 无铅且符合RoHS标准
- 符合JEDEC标准
- 工作温度（Tcase） - 商业级（0°C ≤ Tc ≤ 95°C） - 工业级（-40°C ≤ Tc ≤ 95°C）